خبر برتری مطلق آنالیز های اولیه 3D XPoint نسبت به NAND

اینتل و میکرون از زمان ارائه فناوری جدید استفاده‌شده در حافظه‌های 3D XPoint در آگوست ۲۰۱۵، از لو رفتن اطلاعات این فناوری جلوگیری کرده‌اند. اما متخصصین مهندسی معکوس تک اینس موفق شده‌اند با استفاده از میکروسکوپ به جزئیات این فناوری پی ببرند.

اندازه‌ی تراشه در حافظه‌های ۱۲۸ گیگابایتی از نوع 3D XPoint، برابر با ۲۰۶.۵ میلی‌متر مربع است. این اندازه بسیار بیشتر از فلش‌های NAND جدید یا DRAM-ها است؛ ولی با MLC NAND دوبعدی اینتل که از فناوری ۲۰ نانومتری استفاده می‌کند، تفاوت چندانی ندارد. اندازه‌ی بزرگ تراشه برای اینتل و میکرون امری عادی محسوب می‌شود؛ چرا که این دو شرکت هرگز با فلش‌های NAND به بازار موبایل وارد نشده‌اند و درنتیجه اندازه‌ی تراشه در اولویت‌های آن‌ها نبوده است. این در حالی است که شرکت‌هایی مانند سامسونگ و توشیبا باید از اندازه‌ی فیزیکی تراشه و قرارگیری صحیح آن روی دستگاه‌های موبایل مانند گوشی‌های هوشمند اطمینان حاصل کنند.


SSD-های اینتل اوپتان مدل DC P4800X از حافظه‌ای با تراکم مشابه DC P3700 بهره می‌برد که جایگزین پرچم‌دار SSD-های اینتل در خط تولید شرکت خواهد شد. گرچه اندازه‌ی تراشه معیار مناسبی برای تعیین قیمت محصول به شمار می‌رود؛ ولی فلسفه‌ی 3D XPoint اندکی با فلش‌های NAND (چه NAND دوبعدی قدیمی و چه NAND سه‌بعدی جدید) تفاوت دارد.

برای مقایسه، رکورد میزان سطح اختصاص داده‌شده به حافظه در NAND-های سه‌بعدی ساخت اینتل و میکرون (که با استفاده از طراحی «CMOS زیر آرایه حافظه» بخش اعظمی از پیرامون مدار را به‌جای آن‌که در کنار آرایه‌ی حافظه قرار دهند در زیر آن قرار می‌دهند) تنها ۸۴.۹ درصد است. همچنین بازده آرایه‌ی V-NAND سه‌بعدی و ۴۸ لایه‌ی سامسونگ برابر با ۷۰ درصد است و NAND-های سه‌بعدی توشیبا و SK Hynix نیز بازده مشابهی دارند.

تحلیل‌های تک اینسایتس نشان می‌دهند که حافظه‌های 3D XPoint با استفاده از فناوری ۲۰ نانومتری ساخته شده‌اند. از آنجایی که تکنولوژی ساخت DRAM به‌تازگی به این سطح رسیده است، مقایسه‌ی تراکم 3D XPoint با DRAM-های فعلی نشان‌دهنده‌ی برتری کاملا مشهود 3D XPoint است. برای مقایسه، تراکم 3D XPoint نسبت به رم‌های شناخته‌شده ۲۰ نانومتری، ۴.۵ برابر و نسبت به رم‌های DDR4 با فناوری ساخت ۱۰ الی ۲۰ نانومتری، ۳.۳ برابر است.